碳化硼靶材(B₄C)
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碳化硼靶材(B₄C)
来源:江西科泰新材料有限公司
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简介: 碳化硼(B₄C)靶材是一种以高纯度硼碳化合物为原料,通过先进粉末冶金工艺(如热压烧结HP、热等静压HIP或火花等离子烧结SPS)制备的高性能陶瓷溅射靶材。该靶材具备极高的化学纯度(通常≥99.5%,可定制99.9%及以上核工业级)、优异的致密化程度(高密度、低气孔率,通常 >95%理论密度)、均匀的微观结构(细小且分布均匀的晶粒)及稳定的晶体结构(菱形六面体)。这些特性确保其在磁控溅射(RF, Pulsed DC)、离子束溅射(IBS)等物理气相沉积(PVD)工艺中表现出色:溅射稳定、膜层附着力强、成分均一、耐极端环境性能优异。
产品详细
碳化硼靶材(B₄C)

碳化硼靶材(B₄C)基本信息

分子式:B₄C

纯度:99.5%

CAS号:12069-32-8
摩尔质量:55.25

密度:2.51 g/mL at 25 °C(lit.)

熔点:2450°C

沸点:3500°C

溶解性(水):不溶于水和酸。

碳化硼靶材(B₄C)产品概况

碳化硼(B₄C)靶材是一种以高纯度硼碳化合物为原料,通过先进粉末冶金工艺(如热压烧结HP、热等静压HIP或火花等离子烧结SPS)制备的高性能陶瓷溅射靶材。该靶材具备极高的化学纯度(通常≥99.5%,可定制99.9%及以上核工业级)、优异的致密化程度(高密度、低气孔率,通常 >95%理论密度)、均匀的微观结构(细小且分布均匀的晶粒)及稳定的晶体结构(菱形六面体)。这些特性确保其在磁控溅射(RF, Pulsed DC)、离子束溅射(IBS)等物理气相沉积(PVD)工艺中表现出色:溅射稳定、膜层附着力强、成分均一、耐极端环境性能优异。

核心价值源于 B₄C 的极端物理与核特性在薄膜中的高效体现:

➊ 超硬耐磨特性:

沉积的 B₄C 薄膜拥有超高硬度(~40 GPa,仅次于金刚石和立方氮化硼),赋予涂层卓越的抗磨损、抗刮擦和抗冲蚀能力。

➋ 高中子吸收截面:

硼-10(¹⁰B)同位素对热中子具有极高吸收截面(3837 barn),薄膜具备高效中子屏蔽与核控制功能。

➌ 优异化学惰性:

对强酸、强碱及熔融金属(如)具有优异耐腐蚀性,适用于极端化学环境。

➍ 高温稳定性:

在惰性气氛下可稳定工作至 > 2200°C,保持结构完整性与功能特性。

➎ 轻量化属性:

低密度(2.52 g/cm³),适合对重量敏感的防护或航空航天应用。

碳化硼靶材(B₄C)产品应用

◉ 核能与核安全:

核反应堆中子吸收层:沉积于燃料棒包壳、控制棒或屏蔽结构表面,作为高效紧凑的中子吸收薄膜屏障,提升核电安全性与小型化潜力。

核废料包容体涂层:用于密封容器内壁,增强中子屏蔽与抗辐射分解性能。

◉ 国防与防护:

轻质装甲强化层:与碳化硅碳纤维等复合,通过溅射沉积实现超硬表面防护薄膜,提升防弹头盔、装甲板抗多发打击能力。

航空航天抗冲蚀层:用于直升机旋翼、发动机部件表面,抵御沙砾与雨滴冲蚀。

◉ 精密工业与工具:

高性能切削工具涂层:作为 TiAlN/DLC 等涂层的替代或复合层,显著延长钻头、铣刀在难加工材料(钛合金、复合材料)中的寿命。

精密轴承与密封件强化层:在恶劣工况下提供低摩擦、耐磨蚀表面,减少维护频率。

◉ 极端环境器件:

高温热电元件保护层:用于热电厂或深空探测器热电转换器表面,提供抗氧化、抗腐蚀屏蔽。

半导体刻蚀部件抗等离子体层:在刻蚀腔室内壁沉积,抵抗氟基/氯基等离子体腐蚀。
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标签:碳化硼靶材,碳化硼
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