分子式：Y2O3
纯度：99.99%
CAS号：1314-36-9
摩尔质量：225.81
密度：2690 °C
熔点：4300 °C
沸点：4300 °C
溶解性(水)：不溶于水
氧化钇靶材(Y2O3)产品概况
本靶材由超高纯钇锭(≥99.995%)经 等离子体氧化+热压烧结(HP)+热等静压(HIP) 三级工艺制备的 极限功能陶瓷薄膜材料。
核心特性：
•亚纳米晶粒结构(晶粒尺寸 50-200nm，<111>择优取向度>90%)
•极端致密化(相对密度 >99.98%，闭孔率 <0.005vol%)
•超低缺陷浓度(氧空位 <10¹⁵cm⁻³，金属杂质 <0.1ppm)
•溅射稳定性(电弧事件 <1次/kh，适用于HiPIMS超薄膜沉积)
在反应溅射中实现 膜层介电常数k=14±0.2(比传统SiO₂介质 提升200%绝缘性能)，1700℃工况下氧化速率 <0.001mg/cm²·h。
核心价值源于钇基氧化物的物理极限突破
➊ 量子级介电性能
·等效氧化物厚度(EOT)0.42nm(电流 <10-°A/cm'@1MV/cm)
·介电损耗 tan8<0.0001(@10GHz，毫米波
芯片关键指标)
➋ 抗极端环境损伤
·抗等离子体蚀刻速率 <0.05nm/min(CF/0,刻蚀气体)
·耐中子辐照能力 >100dpa(位移损伤阈值)
➌ 跨尺度工艺兼容
·原子层沉积(ALD)成膜速率 >1.2nm/循环(前驱体吸附能 0.35eV)
·EUV光刻反射镜多层膜(13.5nm反射率 >75%)
氧化钇靶材(Y2O3)产品应用
主导应用场景与性能突破
◉ 先进半导体制造
▸ 3nm以下节点高k栅介质(EOT 0.4nm，栅极漏电降低10⁵倍)
▸ DRAM电容介电层(介电常数k=32，存储密度突破128Gb)
◉ 大科学装置核心部件
▸ 聚变堆第一壁防护涂层(抗氢氦辐照起泡 >10²²ions/m²)
▸ 同步辐射光束线反射镜(表面粗糙度 <0.2nm RMS)
◉ 超精密光学系统
▸ EUV光刻机多层膜反射镜(热变形 <5μrad@1kW/cm²)
▸ 深紫外激光窗口(透过率 >90%@193nm)
◉ 核医学诊疗设备
▸ 质子治疗靶室防辐射内衬(次级辐射产额降低50倍)
▸ 放射性同位素钇-90靶材(核纯度 >99.9999%)
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京公网安备 11010702002294号
