二硅化钛(TiSi2)靶材基本信息

分子式：TiSi₂

纯度：99.95%

CAS号：12039-83-7

摩尔质量：104.04 g/mol

密度：4.02–4.05 g/cm³

熔点：~1540–1570℃

沸点：

溶解性(水)：溶于热浓 HNO₃+HF 混酸(Si 被氧化溶出);与碱液缓溶

二硅化钛(TiSi2)靶材产品应用

二硅化钛(TiSi₂)薄膜——它凭低电阻率(C54相 12–18 µΩ·cm)+ CTE 与 Si 匹配 + 高温抗氧化(SiO₂ 自愈)，主要用在微电子接触层 + 功能涂层，具体如下：

① 微电子 Salicide(自对准硅化物)接触层【最经典】

CMOS 工艺(0.5–0.18 µm 节点历史主流)：

溅射 Ti 薄膜 → 快速热退火(RTA 700–850℃, N₂/Ar, 10–30 s)→ 先 C49‑TiSi₂(高阻)→ 转 C54‑TiSi₂(低阻)

未反应 Ti 用 H₂O₂+NH₄OH 或稀 HF 选择性腐蚀去除

形成 源/漏/多晶硅栅低阻欧姆接触 + 减小接触电阻 & 串联电阻

后被 NiSi(更低温、更少 Si 消耗)部分取代，但在 功率器件/特殊 BCD 工艺/老节点仍有使用

② 欧姆接触 / 局部互连薄膜(化合物半导体 & 硅基)

GaAs、SiC 功率器件局部接触层(与 TiN/Ti 叠层)

扩散阻挡层研究(Ti/TiSi₂/TiN 叠层，<600–700℃ 短时稳)

③ 高温抗氧化 / 耐蚀涂层(小众薄膜方向)

TiSi₂ 薄膜或 TiSi₂+MoSi₂ 复合膜涂覆 C/C 复合材料、Mo、W、Nb → 空气中 >800℃ SiO₂ 保护层自生成(类似 MoSi₂ 但 CTE 更匹配某些基体)

膜厚通常 5–30 µm(PVD 或 slurry 法后扩散退火)

④ 热电偶 / 功能传感膜研究(极少)

TiSi₂ 与 Pt 或 Pt‑Rh 配对作高温薄膜热电偶敏感层(研究级)

少数报道用于 H₂ 敏感膜(TiSi₂ 表氧缺位吸附 H₂ 致电阻微变)