分子式：NiSi₂
纯度：99.95%
CAS号：12265-55-3
摩尔质量：115.87 g/mol
密度：4.98 g/cm³
熔点：1300℃
沸点：
溶解性(水)：
硅化镍(NiSi2)靶材产品概况
NiSi₂ 薄膜性能摘要
项目 数值
晶体 立方 CaF₂(Fm‑3m)，a=5.406Å
电阻率(膜) 30–50 µΩ·cm
Seebeck n‑型
与 Si(001) 失配<0.4%(可外延) → 肖特基/红外研究
形成温 >750℃ RTA(通常不希望 in Salicide)
二硅化镍(NiSi2)靶材产品应用
NiSi2薄膜 ——最主要用途
① CMOS 自对准硅化物(Salicide)——核心大宗用途
流程：溅射 Ni(8–20 nm)→ RTA 350–550℃/N₂ → 选择性腐蚀未反应 Ni → 再 RTA(可选)确认 NiSi
形成 NiSi / 掺杂 Si(源/漏/多晶栅)低阻欧姆接触
优势 vs TiSi₂：
更低电阻率(~12–18 µΩ·cm)
Si 消耗少(≈1:1 反应)→ 适合浅结(≤0.1 µm)
无 C49→C54 细线效应→ 纳米尺度均匀相变
工艺窗口宽(350–750℃ 稳定)
应用节点：0.18 µm → 7 nm/5 nm 仍广泛用(现代 FinFET 也用 Ni(Pt)Si / Ni(Pd)Si 改性)
② 改良 Salicide(Ni(Pt)Si / Ni(Pd)Si 薄膜)
微量 Pt(≤10 at%)或 Pd 掺杂 Ni 靶/共溅 → 抑制 NiSi→NiSi₂ 转变、改善 NBTI、降低 Ag 聚集
本质仍是 NiSi‑base 薄膜，高端逻辑/SoC 主流
③ 功率器件欧姆接触(SiC / GaN 研究)
Ni 膜溅 + 退火(600–900℃)→ NiSi/Ni₂Si 与 SiC 反应形成低阻 p‑/n‑接触(部分功率模块)
不如 Ti/Al 在 GaN 普遍，但有研究应用
④ 局部互连 / Poly‑cide(少数老/特殊 BiCMOS)
NiSi/poly‑Si 叠层，但不如 TaSi₂ 耐极高 RTA，现多用于中低温
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