氮化钨(WNₓ)溅射靶材
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氮化钨(WNₓ)溅射靶材
来源:江西科泰新材料有限公司
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简介: 氮化钨靶材采用高纯钨粉(≥99.99%)与高纯氮气(≥99.999%)为原料,通过 反应等离子烧结(RPS) 工艺制备的高硬度、高导电性复合陶瓷靶材。
产品详细

氮化钨(WNₓ)溅射靶材

氮化钨(WNₓ)溅射靶材产品概况


氮化钨靶材采用高纯钨粉(≥99.99%)与高纯氮气(≥99.999%)为原料,通过 反应等离子烧结(RPS) 工艺制备的高硬度、高导电性复合陶瓷靶材。核心特性包括:

相结构精确可控(β-W₂N为主相,可调W₃N、WN相)

超高密度≥99.5%(孔隙率<0.3%)

超低氧含量(O<30ppm,C<15ppm)

纳米级晶粒尺寸(平均晶粒尺寸 20-80nm)

在直流磁控溅射中实现 薄膜电阻率<150μΩ·cm,硬度 >25GPa,与的附着力 >40MPa。

核心价值源于其“导电-硬度”协同特性

▶ 卓越的机械与电学性能

• 维氏硬度 25-30GPa(接近立方氮化硼)

• 电阻率 120-200μΩ·cm(媲美高导电金属)

• 摩擦系数 0.4-0.5(自润滑特性)

▶ 高温稳定性与界面性能

• 抗氧化温度 >700℃(表面形成致密WO₃保护层)

• 铜扩散阻挡温度 >650℃(硅基衬底)

• 优异的抗热震性(ΔT>500℃循环无开裂)

▶ 化学稳定性

• 耐强酸腐蚀(王水中失重率<0.1mg/cm²·h)

• 低氢渗透率(<10⁻¹³ mol H₂/m·s·Pa)

氮化钨(WNₓ)溅射靶材产品应用

主导应用覆盖先进半导体与高端制造

1. 纳米集成电路

▸ Cu/Co互联扩散阻挡层(厚度<5nm,方块电阻<10Ω/□)

▸ 三维存储器(3D NAND)阶梯接触孔填充(深宽比>10:1)

2. 超硬耐磨涂层

▸ 精密刀具镀层(铣刀、钻头寿命提升 3-8倍)

▸ 模具表面强化(冲压/注塑模具寿命延长 >5倍)

3. 新能源与储能

离子电池集流体涂层(提升硅负极循环寿命 >300次)

▸ 质子交换膜燃料电池双极板防护层(接触电阻 <8mΩ·cm²)

4. 光学与传感器

▸ 红外隐身涂层(3-5μm波段发射率 <0.3)

▸ 高灵敏度气体传感器催化层(对NO₂检测限 <1ppm)
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标签:氮化钨(WNₓ)溅射靶材,溅射靶材,氮化钨
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