工作原理

HCVD-060609采用化学气相沉积（CVD）技术，以BCl₃、NH₃等气体为前驱体，在高温（最高1500℃）真空环境下，通过精确控制气体流量、压力及温度，使气体在基体表面发生化学反应，生成氮化硼薄膜或涂层。设备配备先进的流量与压力控制系统，确保沉积气流稳定，压力波动范围小，实现均匀致密的材料沉积。

应用范围

该设备适用于外延片基座、晶体炉高温耐材、半导体坩埚、陶瓷基复合材料等领域的表面涂层与基体改性，可显著提升材料的耐高温、耐腐蚀及抗氧化性能，满足极端工况下的使用需求。

产品技术参数

工作区尺寸为600×600×900mm，最高温度1500℃，温度均匀性±7.5℃，极限真空度1-100Pa，压升率0.67Pa/h。设备支持多通道工艺气路，可选配机械泵组或耐腐蚀泵组，适应不同工艺气氛需求。

产品特点

高精度控制：采用先进控制技术，实现MTS流量、压力及温度的精密调控，确保沉积质量一致性；

全密闭沉积室：密封效果好，抗污染能力强，保障沉积环境纯净；

多级尾气处理：高效处理高腐蚀性尾气及固体粉尘，环境友好；

模块化设计：支持结构形式、炉门锁紧方式及加热器材质等定制化选择，灵活适配不同工艺需求。