产品介绍
定向凝固炉主要用于科研对晶体生长过程的探索，可用于制备氧化物单晶和金属单晶晶体制备，如蓝宝石、GGG，YAG，LaAlO3，Si和Ge等
产品特点：
1.模块化设计，结构紧凑，外形美观
2.能够实现对炉膛内温度的精确控制，温度控制精度通常可以达到 ±1℃甚至更高，确保材料在凝固过程中处于稳定的温度环境，有利于获得高质量的定向凝固组织。
3.在炉膛内形成均匀的温度场，使材料在不同位置的凝固条件一致，从而保证定向凝固组织的一致性和均匀性。
4.采用触摸屏+plc控制方式，自动化程度高，操作直观，功能强大
5.在触摸屏内可预存几十种烧结工艺，一次编辑，以后直接调用使用，省去多次编辑工艺的麻烦，避免输入错误，烧坏产品
6.烧结的温度，真空度，等数据可实时记录，也可随时启动停止记录，减少无用数据，数据可查询，可导出下载
7.烧结温度高，洁净度高
设备名称 定向凝固晶体生长炉
设备总功率 ≤35Kw
电源电压 3相380V,50Hz
最高温度 2100℃
额定温度 室温~2100℃
感应线圈尺寸 Ф90×100mm
腔体尺寸 Ф400Ф500mm(暂定)
测温系统 在坩埚侧部设计测温孔 配置红外测温仪和欧陆程序仪表
提拉速度 慢速升降0.1-10mm/h(伺服控制)
提拉杆旋转速度 0.1-25r/min
提拉杆升降快速速度 ≤35mm/min
提拉行程 ≤300mm
炉内充气压力 ≤0.03MPa
冷态极限真空度 6.7*10-4pa
控温精度 ±1℃
温控系统 智能 PID 控制器，或 PLC + 触摸屏控制系统，支持多段程序升温(可编 10~50 段工艺曲线)。
安全保护 超温报警、断偶保护、漏电保护、炉门开启断电联锁、过流 / 过载保护等。
炉体结构 采用双层壳体结构，配有风冷系统，可有效散热，降低炉体外壳温度，缩短试验周期，同时也起到一定的保温作用，减少热量散失。
保修期 一年保修(易损件除外)，终身技术支持。
应用领域
金属材料制备：用于制备高性能的金属材料，如航空航天领域的高温合金、涡轮叶片材料等，通过定向凝固技术可以获得具有优异性能的柱状晶或单晶组织，提高材料的强度、耐高温性能和抗疲劳性能等。
半导体材料生长：在半导体材料的生长过程中，定向凝固炉可用于生长单晶硅、锗等半导体晶体，为半导体器件的制造提供高质量的原材料。
功能材料研发：对于一些具有特殊性能的功能材料，如磁性材料、光学材料等，定向凝固技术可以控制材料的晶体生长方向和微观结构，从而改善材料的性能，满足不同领域的应用需求
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京公网安备 11010702002294号
