工作原理

设备采用电子束扫描与信号探测技术，通过预对中钨灯丝电子枪发射高能电子束，在样品表面逐点扫描激发二次电子、背散射电子等信号。二次电子探测器捕捉样品表面形貌信息，背散射电子探测器则通过四分割+1单元设计分析成分差异与三维形貌。低真空模式下，可变压力探测器（UVD 2.0）通过检测阴极荧光（CL）实现不导电样品的无荷电成像，突破传统电镜对样品导电性的限制。

应用范围

覆盖材料科学、电子制造、生物医药及地质矿产等领域。典型应用包括：金属材料断口分析、半导体芯片缺陷检测、陶瓷涂层厚度测量、生物组织超微结构观察，以及地质样品矿物成分鉴定。SU3900标配超大样品仓，可承载直径300mm、重量5kg的样品，支持汽车发动机缸体、风电叶片等大型部件的直接观察，无需切割加工。

产品技术参数

分辨率：3.0nm@30kV（SE），15.0nm@1kV（SE）

加速电压：0.3kV-30kV，低电压性能优异

样品台：五轴马达驱动（X/Y/Z/R/T），SU3900支持X 0-150mm、Y 0-150mm移动范围

探测器：高灵敏度五分割背散射电子探测器、可变压力二次电子探测器、红外CCD导航相机

自动化功能：IFT灯丝监控技术、Multi Zigzag大视野拼接、Report Creator报告生成

产品特点

智能化操作：搭载简约GUI界面与光镜导航功能，通过样品仓导航相机实现大视野定位，操作效率提升60%。

多功能扩展：支持SEM/EDS一体化控制，可同步完成形貌观察与成分分析；Hitachi Map 3D软件支持三维形貌重建与表面粗糙度测量。

高稳定性设计：HexBias偏压技术优化灯丝发射稳定性，IFT灯丝监控系统实时显示剩余寿命，保障长时间连续观测的可靠性。