设备介绍

CVD 成长系统是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统，它由真空管式炉，多通道气路系统和真空系统组成。CVD真空系统可选配分子泵系统或旋片泵系统，最高真空度可达 10*-5pa， 多路气源混合系统可选配浮子流量计或质子流量计，量程范围大，控制精度高; 本系列化学气相沉积系统另有多种功能接受客户要求定制。该cvd设备适用于 CVD 工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基 片导电率测试、ZnO 纳米结构的可控生长、陶瓷电容 (MLCC) 气氛烧结等实验。

产品优势

耐高温节能炉膛

炉膛采用多晶纤维材料，保温性能好，拉伸强度高，无杂球，纯度高，节能效果明显优于国内纤维材料

炉体安全防烫设计

炉体采用双层内胆式结构，中间有气隙隔离，即使炉膛温度达到最高点， 炉体表面仍然可以安全触摸无滚烫感觉

加热状态便于观察

炉体配有输出电压和输出电流监测表，炉子加热状态一目了然

多重安全防护功能

超温报警并断电，漏电保护，操作安全可靠具有多重防护功能

快速升降温功能

带滑道，可滑动炉膛，实现快速升温或冷却功能

智能化PID微电脑温控

智能化 30 段 PID 微电脑可编程自动控制，温控精度可达±1℃

技术参数

产品名称 CVD 化学气相沉积系统

产品型号 KJ-TCVD1100-S60CK1

管式加热系统

滑道 带滑道，可滑动炉膛，实现快速升温或冷却功能

加热区长度 400mm 单温区 (其他尺寸可按客户需求定制)

炉管尺寸 60mm x(1200~1400mm) 外径 x 长 (其他尺寸可按客户需求定制)

炉管材质 高纯石英管

工作温度 ≤ 1100℃

温控系统 智能化 30 段 PID 微电脑可编程自动控制

温控精度 ±1℃ (具有超温及断偶报警功能)

加热速率 建议 0~10℃/min

加热元件 电阻丝

可通气体 氮气、氩气等惰性气体

测温元件 N型热电偶

壳体结构 双层壳体结构带风冷系统

真空法兰 法兰一端带 1/4”卡套接头进气口，另一端带控压 阀,气动泄压阀和放气阀。

供气系统 四路精密质子流量计：测量精度： ±1% F.S.

流量 范围: : 0~200 sccm (按客户要求 )

流量 范围: : 0~200 sccm (按客户要求)

流量 范围: : 0~200 sccm (按客户要求)

流量 范围: : 0~500 sccm (按客户要求)

通过触屏来调节气体流量

真空系统 旋片泵，真空度在空炉冷态可达 1pa，

真空计：进口数显真空计实时显示真空度，精度高。

气体定量系统 整体可以控制压力范围 -20kpa 到 20 kpa (相对压力)

自动化控制触摸屏 触摸屏界面集成控制炉子，真空泵，质量流量计以气体定量系 统。炉子部分需要先设好温度时间曲线。集成控制部分可以控制 温度曲线的启停，真空度，气体流量,泄压阀等。

化学气相沉积所用的反应体系必须满足以下三个条件：

1、在沉积温度下，反应物必须有足够高的蒸汽压。假如反应物在室温下全部为气态，沉积装置就比较简单;假如反应物在室温下挥发性很小，就需要对其加热，使其挥发，而且一般还要用运载气体把它带入反应室，这样反应源到反应室的管道也需要加热，以防止反应气体在管道中冷凝下来。

2、反应的生成物，除了所需要的沉积物为固态薄膜外，其余都必须是气态。

3、沉积薄膜的蒸汽压应足够低，以保证在整个沉积反应过程中，沉积的薄膜能维持在具有一定温度的基体上。基体材料在沉积温度下的蒸汽压也必须足够低。

化学气相沉积的原理：

化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：

(1)形成挥发性物质

(2)把上述物质转移至沉积区域;

(3)在固体上产生化学反应并产生固态物质。

基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。