设备介绍

该pecvd设备是由管式炉真空泵和六通道质量流量计气体流动系统组成的。它可以混合1-6种气体用于PECVD或扩散。该PECVD管式炉通过射频电源将石英真空室中的气体改变为离子状态，等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。该系统主要用于金属薄膜、陶瓷薄膜、复合薄膜、石墨烯等的生长。

产品优势

更好的沉积效率

PECVD比普通CVD具有更高的化学气相沉积速率、更好的均匀性、一致性和稳定性

所需温度更低

PECVD对于化学气相沉积需要比普通CVD更低的温度

成品质量好

具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点

技术参数

型号 KJ-PECVD-LM

管式炉部分

Display 触摸屏

连续工作温度.

≤1100℃第一温区

≤1100℃第二温区

≤1600℃第三温区

升温速率 建议: 0~10℃/min

温区 220mm+220mm+220mm

(其他尺寸可根据客户需求定制)

加热元件 硅碳棒和硅钼棒

热电偶 N型和B型

温度控制精度 ±1℃

炉管尺寸 直径:80 *长度:1600mm

(其他尺寸可根据客户需求定制)

材料：氧化铝管

温度控制 通过SCR功率控制的PID自动控制

倾斜功能 0-15度

(不建议在1100C温度下使用倾斜功能，因为硅钼棒加热元件可能容易损坏。高温时会变软，请注意。)

加热曲线 30步可编程

真空法兰

带阀门的不锈钢真空法兰

右侧法兰为滑动式。

法兰应为水冷式。

等离子射频

功率范围 0-300W(连续可调)

控制模式 手动

工作频率 13.56MHz

报警保护 直流过载保护、直流/放大器过热保护、反射功率保护、匹配超时保护

射频输出阻抗接口(50Ω) N型

功率稳定性 ≤ 1 W

最大反射功率 200 W

真空泵系统

分子泵系统 极限真空：6.7*10-3Pa。包括数字真空计

质量流量计(LCD触摸屏) 六个精密质量流量计：MFC精度为：±1.5%F.S。

17MHZ超声波雾化

配超声波雾化器，液体可雾化成液体颗粒并引入管式炉。

•液体罐标配不锈钢，并用氟橡胶密封件密封;

•雾化量大小可控制;

液体注入系统

•一套用于自动液体供给的标准液体注入泵

•注射泵配有注射器，用于容纳液体;

•注射泵速度可调节

水冷却器 用于冷却水冷法兰和真空泵。