设备介绍

PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。该PECVD管式炉温度范围宽;溅射区域长;整管可调;精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。

产品优势

更好的沉积效率

PECVD比普通CVD具有更高的化学气相沉积速率、更好的均匀性、一致性和稳定性

所需温度更低

PECVD对于化学气相沉积需要比普通CVD更低的温度

成品质量好

具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点

技术参数

产品名称 1200℃PECVD系统

产品型号 KJ-PECVD-1200-50*300-F3

加热系统

显示 LED

最高温度 1200℃

长期工作温度 ≤1100℃

升温速率 0~10℃/min

温区长度 300mm(其他尺寸可根据客户需求定制)

加热元件 硅钼棒

热电偶 N型

温度均匀性 ±1℃

炉管尺寸 直径60 x 长度1200mm(其他尺寸可根据客户需求定制)

材质：氧化铝

温度控制 通过可控硅功率控制进行PID自动控制

加热过程 30步可编程

最大工作压力 0.02MPa

真空系统

旋片泵 冷态极限真空10Pa

真空计 数显真空计

真空法兰 带阀门和针头的不锈钢真空法兰

质量流量计

流量范围 CO2(流量范围：0-200 sccm

CH4(流量范围：0-200 sccm)

N2 流量范围(流量范围：0-200 sccm)

等离子射频发生器

输出功率：0 -300W可调，±1%稳定性

射频频率：13.56 MHz ±0.005% 稳定性