设备介绍

这款CVD反应炉控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单，中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。此款三温区CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电(MLCC)气氛烧结等实验。

产品优势

PID程控控制系统

控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠

耐冲击高真空系统

高真空系统采用高压强，耐冲击真空泵，防止意外漏气造成真空泵损坏，延长系统使用寿命

刚玉材质炉管

炉管采用刚玉材质，工作温度可达1600度，具有高温稳定性和耐腐蚀性，加热均匀性好

技术参数

名称 高温三温区CVD设备

型号 KJ-OTF-1700-F5

加热系统

显示 LED

最高温度 1700℃

工作温度 ≤1600℃

升温速率 建议0~10℃/min

温区数量 3

温区长度 220mm(其他尺寸可根据客户需求定制)

加热元件 硅钼棒

热电偶 B型

控温精度 ±1℃

管尺寸 外径80mm * 长度1400mm

(其他尺寸可根据客户需求定制)

材质：刚玉

温度控制 PID自动控制

温控方式 30段可编程

真空计 复合真空计

真空法兰 带阀门和针头的不锈钢真空法兰

真空泵系统

真空泵组(旋片泵+扩散泵) 冷态极限真空6.67*10-3Pa。

质量流量计(5气路)

流量范围 (20, 30, 50, 100, 200, 300, 500) SCCM