产品介绍

KJ-T1200-S6012LK1-4Z5S型石墨烯生长炉是一种特殊的CVD系统，是专门为在金属箔(像铜箔、铝箔等)上生长薄膜而设计;广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上，特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。该设备由KJ-1200T管式炉+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ，最高温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。软件控制系统：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。

产品优势

成品质量好

PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点

沉积效果好

等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜

智能多段PID可编程

采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制

技术参数

产品名称 1200℃石墨烯生长炉

产品型号 KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S

管式炉

加热区长度 440mm(其他尺寸可根据客户需求定制)

工作温度 ≤1100℃

最高温度 1200℃

炉管尺寸 Φ60×1440mm(其他尺寸可根据客户需求定制)

等离子射频电源

输出功率 5 ～500W ± 1% .

真空泵机组(双极旋片泵)

真空度 10-3torr

波纹管 KFD25 快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连.

质量流量计

四通道控制 精度0.02% 、数字显示、自动控制

水冷系统

水冷法兰要求 水流量 >= 10L/M ，配有专业水冷机组