设备介绍

该设备是一款定制的PECVD系统，增加了倾斜、旋转功能。该系统包含等离子射频电源，高温管式炉，4通道质量流量供气系统和分子泵机组。PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 该系统广泛应用于沉积高质量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管(CNT)、石墨烯材料等，是科研机构和大学实验室的理想产品。

产品优势

炉管可旋转

炉管采用定制变径炉管，管壁内带有石英拨料台，让物料受热更充分。炉管360℃旋转，旋转速度可调

成品质量好

PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点

智能多段PID可编程

温控系统采用PID智能化程序控温，自整定功能并可编制多段升降温程序

技术参数

产品名称 定制旋转PECVD系统

滑轨管式炉部分

产品型号 KJ-T1200-S80-DZPECVD-R

炉管尺寸 直径80*长度1600mm

可选其他直径Φ50，60，80，100，120，150mm

(其他尺寸可根据客户需求定制)

炉管材质 石英管

加热区 单温区，温区长度400mm(其他尺寸可根据客户需求定制)

工作温度 ≤1100℃

最高温度 1200℃

温控方式 N型热电偶

控制方式 触屏控制

控温精度 ±1℃

温控保护 具有超温和断偶保护功能

升温速率 建议≤10℃/min

加热元件 含钼电阻丝

炉膛材料 氧化铝多晶纤维

法兰接头 标配配有不锈钢真空法兰，已安装机械压力表和不锈钢截止阀

密封系统 该炉炉管与法兰之间采用硅胶O型圈挤压密封、撤卸方便、可重复撤卸，磁流体密封，气密性好可实现炉管旋转过程中的高真空。

真空系统部分

主要参数 采用高真空分子泵组，炉管内真空度可达10-3pa

气路系统部分

名称 四路质量流量计(量程可选)

等离子电源部分

功率范围 0-500W(连续可调)

售后服务 质保一年，终身保修(耗材类：高温密封圈、炉管、加热元件等及人为损坏不属于质保范围)

更多规格可根据客户需求定制