设备介绍

KJ-T1050-CVD-LZ型石墨稀、碳纳米管材料CVD设备由管式炉+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ，最高温度可以达到1050度,可定制单温区、双温区、三温区等，极限真空最高可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。软件控制系统：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。

产品优势

温场均衡

炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、节能等优点

微电脑PID控温

采用PID程序化温控系统，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制

安全保护

具有安全互锁、故障诊断和异常报警功能

技术参数

产品名称 石墨稀、碳纳米管材料CVD设备

产品型号 KJ-T1050-CVD-LZ

炉型结构 卧式、单管或多管系统自动控制

适应晶片尺寸 50--200mm

取片方式 自动悬臂石英推拉舟，配合手动取、放片

最高温度 1050℃

极限真空度 1Pa

抽速 抽至极限真空时间15min左右

更多规格可根据需求定制