PVD公司生产的超高真空磁控溅射系统是一款专为薄膜半导体材料制备设计的高性能设备，支持最大300mm衬底，具备RF、DC和脉冲DC等多种溅射技术，靶材尺寸从1英寸到8英寸可选。系统配备可加热至850°C的衬底支架、高真空腔体（304不锈钢材质）、分子泵或冷凝泵真空系统，以及QCM膜厚监控和RGA残余气体分析等原位监控功能。此外，还可根据客户需求扩展RHEED、椭偏仪等功能，广泛适用于半导体薄膜的研发与生产。

仪器介绍:

美国专业的制造商PVD公司是一家在磁控溅射沉积，电子束蒸发沉积，脉冲激光沉积等领域有着20年制造经验。

我司代理的PVD公司生产的磁控溅射系统可以实现在最大300mm衬底上沉积金属和电介质薄膜。使用RF、DC或脉冲DC电源的磁控溅射源可以单个模式或者联合-沉积模式工作，以便生产可以对满足广泛的薄膜要求。我司生产的钛磁控溅射源的尺寸可从1 inch（25mmm)到8inch（200mm)任选 ,并搭配内置倾斜装置以满足按照沉积工艺进行的微调。衬底支架符合最大300mm直径的晶片需求，并可对晶片加热至850°C及加载RF偏压。磁控溅射系统可按客户需求增减其他窗口用于诸如残余气体分析（RGA）、反射高能电子衍射（RHEED)或椭偏仪（ellipsometry）。

技术参数：

Vacuum Chamber: 304不锈钢圆柱形腔体，满足不同客户的定制需求。

Pumping: 分子泵或冷凝泵，机械泵真空系统

Load Lock: 手动传片或自动传片,适合各种形状尺寸的小片到300mm大的圆片，高真空背景传递

Process Control: PC / PLC自动控制界面，菜单控制，数据获取和远程控制

In-Situ Monitoring & Control: QCM膜厚监控，光学膜厚监控，RGA残余气体分析

Substrate Fixture: 单片，多片，星状衬底夹具

Substrate Holders: 可加热，冷却，偏压，旋转

Ion Source: 衬底预清洗，纳米表面改性

Deposition Techniques

Magnetron Sputtering  RF, DC, or Pulsed-DC;具有射频溅射，直流溅射，脉冲直流溅射。

Glancing Angle Depostion (GLAD)Cathodic Arc Plasma Deposition   倾斜角度溅射。