Candela 8520第二代集成式光致发光和表面检测系统，设计用于对碳化硅和氮化镓衬底上的外延缺陷进行高级表征。采用统计制程控制(SPC)的方法来进行自动晶圆检测，可显著降低由外延缺陷导致的良率损失，最大限度地减少金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的工艺偏差，并增加MOCVD反应器的正常运行时间。

产品说明

Candela 8520检测系统采用专有的光学技术，可同时测量两个入射角的散射强度。 它可以捕捉到形貌变化、表面反射率、相位变化和光致发光，从而对各种关键缺陷进行自动检测与分类。Candela 8520为氮化镓晶圆提供表面和光致发光的缺陷检测，对氮化镓位错、凹坑和孔洞进行检测和分类，用于氮化镓反应器的缺陷控制。其功率应用包括基于碳化硅的透明晶圆检查和晶体缺陷分类，如基面位错、微管、堆叠层错缺陷、条形堆叠层错缺陷、晶界和位错，以及对三角形、胡萝卜形、滴落物和划痕等形貌缺陷进行检测。

功能

检测宽带隙材料上的缺陷，包括直径达200毫米的碳化硅和氮化镓（衬底和外延)

支持各种晶圆厚度

对微粒、划痕、裂纹、沾污、凹坑、凸起、KOH蚀刻、胡萝卜形与表面三角形缺陷、基平面位错、堆叠层错、晶界、位错和其他宏观外延干扰进行检测

应用案例

衬底质量控制

衬底供应商对比

入厂晶圆质量控制(IQC)

出厂晶圆质量控制(OQC)

CMP（化学机械抛光工艺）/抛光工艺控制

晶圆清洗工艺控制

外延工艺控制

衬底与外延缺陷关联

外延反应器供应商的对比

工艺机台监控

行业

工艺设备监控

其他高端化合物半导体器件