HTCF-V系列真空坩埚炉是由石英坩埚(或
氧化铝陶瓷坩埚)和不锈钢法兰组成的真空坩埚炉。主要用于煅烧真空或惰性气体保护下的高纯度化合物或扩散半导体晶片，也可用于烘烧或烧结陶瓷材料。
HTCF-V系列真空坩埚炉以进口含钼电阻丝或者硅碳棒或硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和智能化程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，具有真空装置，该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。
HTCF-V1200系列真空坩埚炉工作温度区间800℃至1200℃。该系列设备的控制系统国际领先，具有安全可靠，操作简单，控温精度高，保温效果好，炉膛温度均匀性高，可通气氛抽真空等特点，广泛应用于高等院校，科研院所等
产品型号 HTCF-V1200-TP
工作电源 AC220V 50/60HZ
炉膛尺寸 外径205x内径190x高340mm
额定功率 ≤3kw
外形尺寸 450x550x650mm
重 量 70kg
升温速度 建议不超过20℃/min
产品特点 可装真空装置，能在多种气氛下工作，50段程序控温
加热元件 含钼电阻丝
常用温度 ≤1100℃
最高温度 1200℃
控温方式 50段智能化程序PID模糊控制
恒温精度 ±1℃
控温仪表 智能温控仪
密封方式 全封闭
炉 膛 氧化铝多晶纤维炉膛，设计合理，经久耐用，保温性能好，节能
测温元件 K型热电偶
炉门结构 上开式
最大真空极限 ≤0.1MPa
标准配件：
真空泵一个，坩埚钳1把，专用高温手套1双。使用说明书1份。
可选配件：触摸屏控制、无纸记录仪、远程通讯控制系统。
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京公网安备 11010702002294号
