设备名称 Equipment Name

HJT板式等离子体增强化学气相沉积设备 HJT In-line PECVD

设备型号 Equipment Model

PD-1022/UD

设备用途 Equipment Application

制备本征及掺杂非晶硅薄膜。

Intrinsic film deposition & a-si film doping.

设备工艺 Processes

工艺气体在射频RF电磁场环境中电离相互反应，在衬底上沉积出相应的薄膜材料。

Ionized precursor gases deposit thin films on a substrate.

技术特点 Features

1、较小反射功率的快速启辉、均匀稳定大面积成膜。

Quick RF ignition with least reflect power for uniform and stable film deposition.

2、成熟稳定的多点馈入射频RF技术、技术兼容性和产品升级。

Matured and stable multi-feed in RF technology compatible for even large process chamber.

3、腔体内反应间距可调、灵活的工艺窗口。

Continuous adjustable gas between diffuser and substrate providing flexible process possibilities.

4、大产能低成本、定制设备结构。

High throughput with relative low cost, with capability of customized product design.

5、模块化设计便于安装和维护、高标准的安全设计思想。

设备参数 Parameters

型号 Model：PD-1022/UD

硅片尺寸(mm)Wafer Size：156/166/18X/210/230可选optional

硅片数量/批次Wafers/batch：M6-166mm:10x10 // M10-182mm:9x9 // M12-210mm:8x8,兼容实心和镂空载板compatible with solid or hollow pocket type tray

RF频率 Frequency：13.56 MHz

RPS：In-situ Cleaning

工艺间距 Pitch：15-35 mm 连续可调，亦可固定continuously adjustable, or fixed

外形尺寸(mm ) Foot Print：123500(L) x 9230(W) x2800(H)

产能 Throughput：12454pcs/h(硅片尺寸wafer size:210半片)

破片率(预期)Breakage Rate (expected)：<0.05%(150μm±20μm)

成膜均匀性 Film Uniformity：≤10%