DE600CL 多电子枪蒸发镀膜系统配置三（四或六）个电子束蒸发源，可在基片共蒸发金属、半导体或介质材料。
特点
可选等离子体基片清洗
可选基片氧化
典型应用
用于薄膜沉积研发
LIFT-OFF工艺的理想平台
可蒸发金属，半导体或介质材料
可蒸发磁性材料
可多源共蒸发
主要配置
蒸发腔体：不锈钢腔体
真空阀门：高真空阀门
真空测量：宽量程真空计
蒸发源：三(四或六)个电子束蒸发源
样品台
自转基片台
可选可倾角和自转基片台
(可选加热至600℃)
(可选冷却至-150℃)
膜厚检测：晶振速率膜厚监控
预真空样品室：单基片或多基片装载能力
主要技术指标
极限真空度：3E-8Torr
基片尺寸：可选：2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
膜厚均匀性:优于+/-3%
蒸发速率分辨率: 0.01 A/s
膜厚分辨率: 0.1A
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京公网安备 11010702002294号
