特点
· 用于中试和量产
· 多个溅射源
· 可溅射金属、半导体、介质材料及磁性材料
· 可溅射单层膜、多层膜或共溅合金薄膜或反应溅射
· PID下游或上游压力控制
· 可选离子源辅助沉积
· 可选RF等离子体或离子源基片清洗
· 可选基片氧化
· 整套系统通过工控机和PLC实现全自动控制
主要配置
溅射腔体：不锈钢腔体
真空阀：高真空插板阀
真空测量：宽量程真空计
溅射源：多个磁控溅射阴极，可配DC、Pulse DC、RF、HIPIMS电源
基片台：基片可旋转，可选加热或冷却
压力控制：多路气体配流量计和压力计，PID溅射压力控制
可选薄膜监控：晶振膜厚/速率监控
可选预真空室：基片自动传递
镀膜室主要技术指标
极限真空压力：<9E-8Torr
基片尺寸：可选：3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
可选基片加热至：600℃
片内膜厚均匀性：≤+/-3%
片间膜厚重复性：≤+/-2%
装片能力
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京公网安备 11010702002294号
