DE500DL超导量子磁控溅射系统配备多个磁控溅射源，可沉积金属、半导体、介质材料. 可用于溅射多层薄膜、共溅合金薄膜、反应溅射、LIFT-OFF工艺薄膜、隧道结薄膜等。是材料和薄膜沉积研发和中试的理想平台。
特点
溅射距离可调
PID下游和上游压力控制
良好的薄膜均匀性和重复性
安全互锁保护
PLC和工控全自动控制
可选离子束清洗或辅助沉积
可选RF等离子体清洗
主要配置
镀膜腔室 不锈钢腔体
真空阀门 高真空插板阀门
真空测量 宽量程真空计
溅射源 多个溅射源，直流、脉冲直流、射频电源
样品台 样品台旋转加热或冷却
气体和压力控制 多路气体配流量计、PID控制压力控制
预真空样品室 单基片或多基片装载能力、全自动送样
主要技术指标
镀膜腔室极限真空度 优于9E-9Torr
基片尺寸 可选：2英寸、4英寸、6英寸
基片加热和冷却 可加热至900℃和冷却至-50℃，基片可自转
膜厚均匀性 优于+/-3%
0
0
0
0
0
宣传 
宣传 
宣传 
京公网安备 11010702002294号
