设备特点：

1. 采用手套箱，满足用户水氧含量均小于1ppm的要求

2. 真空在线可多次掩膜，并可满足用户对衬底与掩膜板之间无间隙要求

3. 蒸发电极为全封闭，高温钨极，该蒸发源为本公司独创

4. 有机束源炉也是本公司专利，700℃内可精确控温，并为全封闭结构，有效避免了交叉污染

5. 蒸发室及磁控溅射室都配有可加热能升降可旋转的高真空样品安放台，升降行程40-100mm(可由用户确定)，加热温度室温到300℃，连续可调，误差±1℃。所有功能均由电动实现，触摸屏操作

主要技术参数：

1. 两个镀膜室的极限真空度可达3*10-5pa，传递室和样品库5*10-4pa，系统漏率1*10-8pa/s

2. 可镀样品最大尺寸100mm*100mm，样品加热温度最高300℃。成膜均匀度≤±5%

3. 样品台可旋转，转速为每分钟2-30转连续可调

4. 金属蒸发电极最高温度2000℃，有机蒸发源最高温度700℃

5. 可一次装卡4个基片，可进行多次掩膜，可真空在线制作四个器件。保证掩膜板与衬底间无间隙的最佳要求

6. 磁控靶最大功率500W，摆头角度40°