设备用途

主要用于在硅片(或玻璃片)表面制备金属薄膜(A I 、Ag 、Ni 、Cu、Ti 、Pd等)，及有机薄膜，并能升级实现反应溅射。模块式设计，可根据实际需求和功能，组合成型。

主要技术指标：

真空指标极限真空度：≤8x10-6Pa (经烘烤除气后);

系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S;

系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，40分钟可达到6.6x10-4 Pa;

停泵关机12小时后真空度：≤15Pa;

真空室真空室为带冷却水道的方形真空室，壁挂防污板，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行特殊工艺抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封。

磁控靶矩形靶材尺寸约450 X 75 mm, 靶上面有一套自动挡板;射频溅射与直流溅射兼容，靶内有水冷;

蒸发源有机蒸发源、金属蒸发源可选

样品最大300 mm X 300 mm玻璃片或硅片，加热最高温度 350°C±1°C;

真空获得及测量分子泵+机械泵或冷泵+干式泵，数显复合真空计(皮拉尼规+电离规)

配套电源直流电源、射频电源、直流脉冲电源

气路三路进气，质量流量计控制

控制系统 手动或自动

工作压力控制系统手动或自动

水冷机组可选