松瓷第三代单晶炉是一种先进的低氧型单晶炉，它在惰性气体环境中，利用石墨加热器熔化多晶硅，并通过独特的拉晶工艺和直拉法，生长出无错位且低氧含量的单晶硅。该设备在36吋热场下，可将氧含量控制在6-7ppm，相比同等条件，同心圆现象出现，氧含量降低了40%。凭借松瓷独特的降氧方案设计，单晶硅棒的氧含量能显著降低，从而有效提升N型210电池片的效率，提升幅度在0.1%-0.2%之间。

松瓷第三代单晶炉:低氧型单晶炉是一种在惰性气体(气、氮气)环境中,用石墨加热器将多晶硅熔化,运用独特的拉晶工艺,用直拉法生长无错位低氧含量单晶的设备。

36吋热场拉制N10氧含量控制范围

6-7ppm同等条件下，同心圆出现

无氧含量降低40%