CY-RTP1000-Φ200-300-V-T型卤素灯RTP立式快速退火炉是一款专为半导体及材料科学领域设计的高性能设备。该设备采用革新的卤素灯加热技术，能够实现真正的基底温度测量，无需传统温度补偿，温度控制精准且重复性高。其温度范围为150-1250℃，加热速率可达10-150℃/S，具备优异的温度均匀性和快速升温能力。此外，设备配备不锈钢冷壁真空腔室，真空度可达5×10⁻³ Torr甚至低至5×10⁻⁶ Torr，兼容常压和多种气氛环境，适合多种材料的退火处理。其快速数字PID温度控制和触摸屏操作界面，进一步提升了系统的稳定性和易用性。该设备广泛应用于半导体制造中的离子注入退火、快速热处理、合金化等工艺，是国际知名半导体公司及科研团队的首选设备。

产品型号：CY-RTP1000-Φ200-300-V-T

简单介绍：

卤素灯RTP立式快速退火炉是一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择

详情介绍：

卤素灯RTP立式快速退火炉是一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。

卤素灯RTP立式快速退火炉技术参数：