1200℃RTP退火炉
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1200℃RTP退火炉
来源:郑州成越科学仪器有限公司
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简介: CY-RTP1000-Φ300-T型1200℃快速退火炉是一款专为半导体及材料研究领域设计的高性能设备。该设备采用革新的加热技术,配备红外卤素管灯加热,能够实现真正的基片温度测量,无需传统温度补偿,确保温度控制的精准性和重复性。其不锈钢冷壁真空腔室设计,结合高真空分子泵组,可将真空度降低至5×10⁻⁶ Torr,有效避免材料污染,提升退火质量。此外,设备配备快速数字PID温度控制、触摸屏操作界面以及兼容常压和真空环境的多功能设计,适用于多种材料的热处理和退火工艺,是半导体制造和材料科学实验中的理想选择。
产品详细

1200℃RTP退火炉

1200℃RTP退火炉


产品型号:CY-RTP1000-Φ300-T

简单介绍:

1200℃RTP退火炉是一款12寸片快速退火炉,采用革新的加热技术,可实现真正的基底温度测量,不需要采用传统快速退火炉的温度补偿,温度控制**,温度重复性高,客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队,是半导体制程退火工艺的理想选择

详情介绍:

1200℃RTP退火炉是一款12寸片快速退火炉,采用革新的加热技术,可实现真正的基底温度测量,不需要采用传统快速退火炉的温度补偿,温度控制**,温度重复性高,客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队,是半导体制程退火工艺的理想选择。

技术特色:

• 真正的基片温度测量,无需传统的温度补偿

• 红外卤素管灯加热

• 极其优异的加热温度**性与均匀性

• 快速数字PID温度控制

• 不锈钢冷壁真空腔室

• 系统稳定性好

• 带触摸屏的PC控制

• 兼容常压和真空环境,真空度标准值为5×10-3Torr,采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr

• *高3路气体(MFC控制)

• 没有交叉污染,没有金属污染

  技术参数:

1200℃RTP退火炉
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标签:退火炉,冶金设备
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