简介： 设备主要利用微波测试原理，非接触式测量射频HEMT结构半导体材料的方阻、迁移率及载流子浓度。可实现单点测试，亦可以实现面扫描的测试功能，具有快速，无损，准确等优势，可用于材料研发及工艺的监测及质量控制。特点 适用于迁移率量测范围在100cm²/V • s～3000cm²/V • s 的射频HEMT外延片。非接触，非损伤测试，具有测试速度快，重复性佳，测试敏感性高，可以直接测试产品片等优点。