CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨
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CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨
来源:江苏先丰纳米材料科技有限公司
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简介: 货号CAS号编号包装参数1010417440-33-7XF1721盒基底尺寸:9mmx9mm产品名称中文名称:CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨英文名称:SingleLayerWSe2onSiO2/Si
产品详细


货号CAS号编号包装参数
1010417440-33-7XF1721 盒基底尺寸: 9 mmx9 mm


产品名称

中文名称:CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨

英文名称:Single Layer WSe2 on SiO2/Si

性质

形态:薄膜

参数

基底尺寸:9 mmx9 mm

WSe2片径范围:20-50μm

氧化层:300nm

厚度:0.6-0.8 nm

应用

先丰纳米**推出CVD法制备的单层二硒化钨,该产品具有缺陷少,层数可控,优异的光学性质,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料,欢迎咨询。

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标签:CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨
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