货号	CAS号	编号	包装	参数
101031	1317-33-5	XF165	1 盒	基底尺寸: 6 mmx8 mm

产品名称中文名称:CVD氧化铝基底单层二硫化钼

英文名称：Single LayerMoS2onAl2O3

性质

形态：薄膜

参数

基底：氧化铝

基底尺寸：6 mm*8 mm

片径范围：20-50 μm

厚度：0.6～0.8 nm

应用

先丰纳米**推出CVD法制备的单层二硫化钼，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。