近日，鲁晶半导体技术团队与山东大学新一代半导体材料研究院正式达成深化合作协议。双方计划联合申报国家级科研项目，共建实验室，并携手推动碳化硅功率器件技术标准的制定，共同助力国产半导体产业的自主可控发展。
根据协议，鲁晶半导体将充分利用山东大学新一代材料研究院的科研平台与人才资源，进一步强化自身的技术研发能力。而山东大学则将借助鲁晶半导体的产业资源与市场渠道，推动科研成果的快速转化与应用。这一合作模式将构建起“基础研究+技术攻关+产业落地”的全链条创新体系，为碳化硅功率器件的研发与应用提供有力支持。
在当天的合作交流中，双方重点探讨了超高压5000V SiC肖特基二极管及大功率MOSFET器件的技术进展。鲁晶半导体技术团队展示了其在器件研发与制造方面的阶段性成果，而山东大学专家则从学术角度深入剖析了高频、高效、高温性能的优化方案。双方一致认为，SiC功率器件凭借其耐高压、低损耗的优异特性，将成为未来电力电子领域的核心技术方向。
