获悉，国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线（中国新能源材料与器件第五届学术会议）已在筹备，预计将于2023年在京建成，可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求，有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。
随着芯片技术升级迭代，光子芯片有望成为新一代信息领域的底层技术支撑。就在一周前(10月11日)，上海印发《上海打造未来产业创新高地发展壮大未来产业集群行动方案》，提到积极培育量子科技产业，其中就涉及光子芯片。
光子芯片VS集成电路芯片
据悉，光子芯片是光电子器件的核心组成部分，与集成电路芯片相比存在多处不同。例如：
从性能而言，光子芯片的计算速度较电子芯片快约1000倍，且功耗仅为电子芯片的九万分之一。
从材料而言，InP、GaAS等二代化合物半导体是光子芯片更为常用的材料，而集成电路一般采用硅片。
从制备而言，光子芯片的制备流程与集成电路芯片存在一定相似性，但侧重点在于外延设计与制备环节，而非光刻环节。
光子芯片对结构的要求较低，一般是百纳米级，因此降低了对先进工艺的依赖，使用我国已相对成熟的原材料及设备就能生产，而不像电子芯片一样，必须使用EUV等极高端光刻机。
这也决定了光子芯片行业中，IDM模式是主流，有别于标准化程度高、行业分工明确的集成电路芯片。据Gartner预测，到2025年全球光子芯片（中国新能源材料与器件第五届学术会议）市场规模有望达561亿美元。
目前来看，全球市场中，高意集团(II-VI)、Lumentum等为头部企业，长光华芯、源杰科技等国内企业也已在高功率激光芯片、高速率激光芯片等领域取得进展。
另外，9月中旬也有消息传出，台积电已与英伟达合作硅光子集成研发项目，前者将在图形硬件上使用COUPE硅光子芯片（中国新能源材料与器件第五届学术会议）异构集成技术。
