12月31日，烁科晶体传来振奋人心的消息。据中国电子材料行业协会透露，山西烁科晶体有限公司，作为中电科半导体材料有限公司的子公司，已成功研制出直径为12英寸(即300毫米)的高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同时成功研制出12英寸的N型碳化硅单晶衬底。这一成果标志着烁科晶体在碳化硅材料领域取得了重大突破。

烁科晶体在产能建设方面也取得了显著进展。其碳化硅二期项目已于2024年10月顺利竣工验收，正式投产。该项目的建成将大幅提升烁科晶体的碳化硅衬底产能，预计每年新增20万片6-8英寸的碳化硅衬底，其中包括20万片N型碳化硅单晶衬底和2.5万片高纯衬底。

值得一提的是，烁科晶体在8英寸碳化硅晶体研制方面也取得了不俗的成绩。早在2021年8月，烁科晶体便成功研制出8英寸碳化硅晶体，随后在2022年1月实现了8英寸N型碳化硅抛光片的小批量生产。晶圆尺寸的增大意味着生产效率的提升和成本的降低，这对于制造商来说无疑是一个巨大的竞争优势。

目前，大尺寸晶圆已成为碳化硅产业共同追求的目标。烁科晶体的这一突破，不仅提升了自身在碳化硅材料领域的竞争力，也为整个产业的发展注入了新的活力。随着碳化硅衬底领域由6英寸向8英寸、甚至12英寸的转型加速，烁科晶体无疑将在这场技术革命中扮演重要角色。