纳米级离子注入系统
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纳米级离子注入系统
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简介: Q-One型纳米级离子注入系统是一种先进的半导体制造设备,专为量子器件和先进材料工程设计。它能够以纳米级精度实现单离子的精确定位和注入,具备20纳米的聚焦离子束和1纳米的光学编码器压电驱动级,确保极高的离子放置精度。Q-One支持多种元素的注入,包括液态金属离子源和双等离子体源,可实现氧和氮的掺杂。其高分辨率电子柱提供4nm的详细成像,用于现场验证和过程控制。该系统不仅速度快、可扩展性强,还能在短时间内生成数百万个精确定位的原子阵列,广泛应用于单离子注入、量子器件制造、纳米材料工程、光子系统和存储设备等领域。
产品详细

纳米级离子注入系统

纳米级离子注入系统


Q-One型纳米级离子注入系统是一种先进的半导体制造设备,专为量子器件和先进材料工程设计。它能够以纳米级精度实现单离子的精确定位和注入,具备20纳米的聚焦离子束和1纳米的光学编码器压电驱动级,确保极高的离子放置精度。Q-One支持多种元素的注入,包括液态金属离子源和双等离子体源,可实现氧和氮的掺杂。其高分辨率电子柱提供4nm的详细成像,用于现场验证和过程控制。该系统不仅速度快、可扩展性强,还能在短时间内生成数百万个精确定位的原子阵列,广泛应用于单离子注入、量子器件制造、纳米材料工程、光子系统和存储设备等领域。

Q-One型, 先进的纳米级离子注入平台

Q-One是一种具有纳米级精度的确定性单离子注入的最新工具。这是一种全新的设计,功能强大的FIB,能够以惊人的精度和前所未有的速度定位单个离子。

Q-One具有许多强大的功能,是制造量子器件和先进材料工程的最先进系统。

快速、可扩展的设备制造

Q-One比SPM(扫描探针显微镜)技术快许多数量级,它可以在短短几秒钟内产生数百万个精确定位的原子阵列。

纳米精度

Q-One具有20纳米聚焦离子束和1纳米光学编码器的压电驱动级,提供了最终的精确离子放置。

植入多种元素

液态金属离子源和质量过滤柱可选择和植入40多种不同元素。双等离子体源也可用于氧和氮掺杂。

双离子束

高分辨率电子柱可提供高达4nm的详细成像,用于现场验证和过程控制。

应用

单离子注入

量子器件制造与研究

纳米材料工程

光子系统

存储设备

成功案例

单离子多物种低能定位项目

作为单离子多物种低能定位项目的一部分, 2018年在英国 Surrey Ion Beam Centre安装了第一批两台同类仪器。

PLATFORM FOR NANOSCALE ADVANCED MATERIALS ENGINEERING

Q-One系统成为英国Henry Royce研究所,纳米先进材料工程新平台的核心。

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标签:纳米级离子注入系统,检测设备
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