工作原理：

过红外激光束垂直照射样品表面，利用光束在材料内部及界面的多重反射形成干涉条纹，结合光谱分析算法计算薄膜或基底的厚度。

应用范围：

应用于晶圆厚度控制（如研磨、刻蚀工艺）、薄膜沉积监控（如氧化硅、氮化硅层）、MEMS 器件制造（沟槽深度、侧壁角度）、TSV（硅通孔）深度测量、LED 衬底厚度检测、环氧树脂封装层厚度分析等领域。其非接触式特性尤其适合测量带图案、有胶带或粘合在载体上的晶圆，以及柔性基底（如聚合物薄膜）的厚度变化。

产品技术参数：

测量方式：红外干涉（非接触式）

样本尺寸：标准支持 50mm、75mm、100mm、200mm、300mm 晶圆，可定制更大尺寸

厚度测量范围：单探头 15μm-780μm，双探头组合测量总厚度达 3mm

分辨率：10nm

重复性：单探头 0.1μm（1σ），双探头 0.8μm（1σ）

粗糙度测量范围：20Å-1000Å（RMS）

扫描方式：支持半自动/全自动 2D/3D 映射（Mapping）

真空吸附：100mmHg 真空度，适配高平整度样品

产品特点：

高精度与稳定性：采用双探头系统，可同步测量衬底厚度与图形层高度，分辨率达 10nm，重复性优于 0.1μm。

宽材料兼容性：覆盖硅、蓝宝石、碳化硅、玻璃、聚合物等红外透明材料，兼容有图案、凸起或键合的复杂结构。

非破坏性测量：避免传统接触式测量的划伤或形变风险，尤其适合薄晶圆（<100μm）及柔性基底。

多功能扩展：可选配沟槽深度、过孔尺寸、侧壁角度、粗糙度测量模块，支持 MEMS 及 TSV 工艺分析。