仪器简介
飞行时间——二次离子质谱仪(TOF-SIMS)采用质谱技术分析材料表面原子层以确定表面元素组成和分子结构。其工作原理是样品表面被高能聚焦的一次离子轰击时，一次离子注入被分析样品，把动能传递给固体原子，通过层叠碰撞，引起中性粒子和带正负电荷的二次离子发生溅射，再通过测量不同二次离子的飞行时间测量它们的质量/荷质比，对被轰击的样品的表面和内部元素分布特征进行分析。二次离子质谱可以分析包括氢在内的全部元素，并能给出同位素的信息、分析化合物组分和分子构成，灵敏度好、质量分辨率高、可测量的分子量范围大，还可以进行微区成分成像和深度剖面分析。
性能指标
高分辨质谱：
灵敏度：灵敏度：10^9个原子/cm^2(上标)
可检测质量范围：1-3000 amu
质量分辨率：原子：1000 (FWHM);有机物：2000 (FWHM)
质量准确度：0.56 mamu
微区成像：
SIMS化学成像，空间分辨率：0.2 μm
二次电子成像
深度剖面：深度分辨率：1.1 nm
一次离子源：AuGa液态金属离子
离子束能量：25 keV
脉冲微区尺寸：0.2 μm(低电流)，0.5 μm(高电流)
离子刻蚀枪：Cs+离子枪，离子束能量：0.5-5 keV
正、负离子SIMS模式一键切换
通氧，帮助提高正二次离子产额
低能脉冲电子枪(30eV)，用于绝缘样品分析
测试项目
固体表面全元素和1-3000有机物质谱分析，痕量元素/有机物定量，二次离子成像、痕量元素深度分布分析
样品要求
薄样品架：16.5×13.5 mm以内，厚度方向500μm以内厚样品架：16.5×13.5 mm以内，厚度方向约1 mm4位置可变厚度样品架：8×8 mm以内，厚度方向6 mm以内
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京公网安备 11010702002294号
